Silicon nanowire의 합성
페이지 정보
작성일 20-01-19 06:14
본문
Download : Silicon nanowire의 합성.hwp
이 때 튜브 내의 carrier gas(Ar, H₂등)의 압력을 조절하면 증발된 기체가 응축되는 속도와 클러스터의 크기를 조절할 수 있다
액체 합금 방울에 nanowire constituent 이 확산되면 합금 내의 nanowire constituent 이 과포화상태가 되고 이에 결국 나노물질의 핵이 생성된다 이 과정이 계속되면 free energy를 최소화 하려고 최초 핵 위치에서 wire형태로 자라게 된다
3) self-catalytic VLS
- VLS 방법으로 hetero-structure nanowir…(To be continued )
Silicon nanowire의 합성
다.
Silicon,nanowire의,합성,공학기술,레포트
Silicon nanowire의 합성 , Silicon nanowire의 합성공학기술레포트 , Silicon nanowire의 합성
Download : Silicon nanowire의 합성.hwp( 45 )
순서
레포트/공학기술
설명
Silicon nanowire의 합성
재료工學test(실험) 결과보고서
- Silicon nanowire의 합성 -
1. Silicon nanowire를 합성하는 여러 방법에 대한 조사.
1) vapor-liquid-solid (VLS) growth
- 이 방식은 현재까지 nanowire를 만드는데 가장 잘 알려진 방법이다. 여기서 녹아들어갈 수 있는 실리콘의 양이 한정되어 있으므로 (Si는 약 18wt%) 주입된 Si는 바닥에 침전된다 이 과정의(定義) 결과로 금 입자가 실리콘 nanowire 위에 매달린 형태의 nanowire가 형성 된다
2) LGC (laser assisted catalytic growth)
- 결정 성장 초기 때 핵이 생성되고 이 핵의 성장으로 nanowire가 만들어지려면 나노미터 크기의 촉매 방울을 만들어야하는데 이것을 laser를 이용해 하는 방식이다. 가열된 튜브 내에 촉매와 원료복합물 타깃에 laser를 조준해서 조사하면 물질이 증발, 응축하여 nanowire가 성장한다. 가장 먼저 촉매로서 금의 나노 입자가 실리콘 웨이퍼 위에 도포되고, 이 웨이퍼는 진공 체임버 안에서 금과 시리콘의 공융점이상의 온도로 가열된다 (이상 annealing) 가열 후 실리콘의 가스 소스인 SiH4, Si2H6 또는 SiCL4가 체임버 안에 도입되고 높은 온도로 인해 실리콘과 그 외 분자로 열 분해된다 이 때 생성된 실리콘 입자들은 금-실리콘 공융 액체혼합물에 녹아들어간다.
